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模拟电路版图的艺术(第2版英文版)/国外电子与通信教材系列

  • 定价: ¥145
  • ISBN:9787121367526
  • 开 本:16开 平装
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  • 出版社:电子工业
  • 页数:647页
  • 作者:(美)艾伦·黑斯廷...
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  • 2019-07-01 第1版
  • 2019-07-01 第1次印刷
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导语

  

内容提要

  

    本书全面论述了模拟集成电路版图设计中涉及的各种问题及研究成果。书中首先介绍半导体器件物理、制造、工艺、失效机制等内容;接着介绍模拟集成电路设计所采用的3种典型工艺:标准双极工艺、多晶硅栅CMOS工艺和模拟BiCMOS工艺;探讨无源器件的设计与匹配性问题,如电阻、电容、电感,以及电阻与电容的匹配;并探讨二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用,以及某些专门领域的内容,包括合并器件、保护环、单层互联、构建焊盘环、ESD结构等。最后介绍有关芯片版图的布局布线知识。
    本书可作为电子科学与技术、微电子、固体电子等相关专业高年级本科生和研究生的双语教材,对于专业版图设计人员是一本极具价值的参考书,对于模拟电路设计者更好地理解电路与版图之间的关系也有很好的参考价值。

目录

Chapter 1  Device Physics  器件物理
  1.1  Semiconductors  半导体
    1.1.1  Generation and Recombination  产生与复合
    1.1.2  Extrinsic Semiconductors  非本征(杂质)半导体
    1.1.3  Diffusion and Drift  扩散和漂移
  1.2  PN Junctions  PN结
    1.2.1  Depletion Regions  耗尽区
    1.2.2  PN Diodes  PN结二极管
    1.2.3  Schottky Diodes  肖特基二极管
    1.2.4  Zener Diodes  齐纳二极管
    1.2.5  Ohmic Contacts  欧姆接触
  1.3  Bipolar Junction Transistors  双极型晶体管
    1.3.1  Beta  β值
    1.3.2  I-V Characteristics  I-V特性
  1.4  MOS Transistors  MOS晶体管
    1.4.1  Threshold Voltage  阈值电压
    1.4.2  I-V Characteristics  I-V特性
  1.5  JFET Transistors  JFET晶体管
  1.6  Summary  小结
  1.7  Exercises  习题
Chapter 2  Semiconductor Fabrication  半导体制造
  2.1  Silicon Manufacture  硅制造
    2.1.1  Crystal Growth  晶体生长
    2.1.2  Wafer Manufacturing  晶圆制造
    2.1.3  The Crystal Structure of Silicon  硅的晶体结构
  2.2  Photolithography  光刻技术
    2.2.1  Photoresists  光刻胶
    2.2.2  Photomasks and Reticles  光掩模和掩模版
    2.2.3  Patterning  光刻
  2.3  Oxide Growth and Removal  氧化物生长和去除
    2.3.1  Oxide Growth and Deposition  氧化物生长和淀积
    2.3.2  Oxide Removal  氧化物去除
    2.3.3  Other Effects of Oxide Growth and Removal  氧化物生长和去除的其他效应
    2.3.4  Local Oxidation of Silicon (LOCOS)  硅的局部氧化
  2.4  Diffusion and Ion Implantation  扩散和离子注入
    2.4.1  Diffusion  扩散
    2.4.2  Other Effects of Diffusion 扩散的其他效应
    2.4.3  Ion Implantation  离子注入
  2.5  Silicon Deposition and Etching  硅淀积和刻蚀
    2.5.1  Epitaxy  外延
    2.5.2  Polysilicon Deposition  多晶硅淀积
    2.5.3  Dielectric Isolation  介质隔离
  2.6  Metallization  金属化
    2.6.1  Deposition and Removal of Aluminum  铝淀积及去除
    2.6.2  Refractory Barrier Metal  难熔阻挡金属
    2.6.3  Silicidation 硅化
    2.6.4  Interlevel Oxide, Interlevel Nitride, and Protective Overcoat  夹层氧化物,夹层氮化物和保护层
    2.6.5  Copper Metallization  铜金属化
  2.7  Assembly  组装
    2.7.1  Mount and Bond  安装与键合
    2.7.2  Packaging  封装
  2.8  Summary  小结
  2.9  Exercises  习题
Chapter 3  Representative Processes  典型工艺
  3.1  Standard Bipolar  标准双极工艺
    3.1.1  Essential Features 本征特性
    3.1.2  Fabrication Sequence 制造顺序
    3.1.3  Available Devices  可用器件
    3.1.4  Process Extensions  工艺扩展
  3.2  Polysilicon-Gate CMOS  多晶硅栅CMOS工艺
    3.2.1  Essential Features  本质特征
    3.2.2  Fabrication Sequence  制造顺序
    3.2.3  Available Devices  可用器件
    3.2.4  Process Extensions  工艺扩展
  3.3  Analog BiCMOS  模拟BiCMOS
    3.3.1  Essential Features  本质特征
    3.3.2  Fabrication Sequence  制造顺序
    3.3.3  Available Devices  可用器件
    3.3.4  Process Extensions  工艺扩展
  3.4  Summary  小结
  3.5  Exercises  习题
Chapter 4  Failure Mechanisms  失效机制
  4.1  Electrical Overstress  电过应力
    4.1.1  Electrostatic Discharge (ESD)  静电漏放
    4.1.2  Electromigration  电迁徙
    4.1.3  Dielectric Breakdown  介质击穿
  ……
Chapter 5  Resistors  电阻
Chapter 6  Capacitors and Inductors  电容和电感
Chapter 7  Matching of Resistors and Capacitors  电阻和电容的匹配
Chapter 8  Bipolar Transistors  双极型晶体管
Chapter 9  Applications of Bipolar Transistors  双极型晶体管的应用
Chapter 10  Diodes  二极管
Chapter 11  Field-Effect Transistors  场效应晶体管
Chapter 12  Applications of MOS Transistors MOS  晶体管的应用
Chapter 13  Special Topics  一些专题
Chapter 14  Assembling the Die  组装管芯
Appendix A  Table of Acronyms Used in the Text  缩写词汇表
Appendix B  The Miller Indices of a Cubic Crystal  立方晶体的米勒指数
Appendix C  Sample Layout Rules  版图规则实例
Appendix D  Mathematical Derivations  数学公式推导
Appendix E  Sources for Layout Editor Software  版图编辑软件的出处
Index  索引