导语

  

内容提要

  

    本书由综合动向分析、重要专题分析、附录三部分构成。综合动向分析部分对2018年军用微电子、光电子、真空电子、传感器、电能源、抗辐照等重点领域器件与技术发展情况进行了分析和归纳；重要专题分析部分从元器件领域选取18个重点和热点问题进行了比较深入的分析和研究；附录部分对2018年军用电子元器件重点领域的重大或重要事件进行了简述。

综合动向分析
  2018年军用电子元器件领域科技发展综述
  2018年微电子器件发展综述
  2018年光电子器件发展综述
  2018年真空电子器件与技术发展综述
  2018年传感器技术发展综述
  2018年电能源发展综述
  2018年抗辐射加固器件发展综述
  2018年微电子器件技术发展综述
  2018年光电子器件技术发展综述
  2018年电能源技术发展综述
  2018年抗辐射加固器件技术发展综述
重要专题分析
  美国“电子复兴”计划进入新阶段
  欧盟“石墨烯旗舰”计划进展分析
  国外忆阻器技术发展现状与应用展望
  英特尔处理器芯片安全漏洞事件分析
  美军研制出三维微型数字射频存储器
  美国开发出封闭式相变存储器单元
  美国制备出高性能二硫化钼场效应晶体管
  德国开发出世界首个准固态单原子晶体管
  欧洲研制出全球首个全石墨烯光通信链路
  美国研制出宽波段、高灵敏度、超快石墨烯光电探测器
  美国利用65纳米平面体硅CMOS工艺实现光电单片集成
  美国实现砷化镓基铟砷锑制备
  日本推出单片硅基量子点激光器新技术
  俄印制备出世界首个氧化镓日盲紫外探测器
  毫米波/太赫兹真空电子技术发展综述
  美国研制出同位素富集六方氮化硼制备技术
  美国成功研发待机功耗趋零的声音传感器
  以色列首次制备出类闪存结构的可调谐硅光子器件
附录
  2018年军用电子元器件领域科技发展大事记